1. 研究目的与意义

几十年来，人们对多孔硅的研究取得丰硕成果，在部分领域已达到实用化阶段。

1990年，第一个多孔硅发光管问世，但多孔硅发光的稳定性差、寿命短、发光效率低，而且机械强度和化学稳定性都很差，这些缺点严重阻碍了发光管的实用化。

但是要实现实用化和批量生产，还需要在材料制备和工艺、器件的设计和集成技术等方面作进一步的改进，同时还需要进一步提高器件的可靠性和稳定性、降低功耗、提高响应速度、加强与硅及微电子制备工艺的兼容性。

2. 国内外研究现状分析

1996年，tsybeskov等人通过提高后处理温度，改善氧化物和界面质量以及改进器件结构后制成的硅发光器件，可使发光持续几个星期，效率达到0.1%。

而且值得指出的是该器件是在半导体工艺兼容的条件下制备的。

几个月后，研究人员利用硅微电子制备工艺将双极晶体管和多孔硅发光管集成在一个硅片上并制成了集成电路阵列。

3. 研究的基本内容与计划

研究内容： 多孔硅的制备方法及表征方法 表面修饰多孔硅的形貌和光致发光特性的研究。

研究计划：1. 准备工作、文献综述和开题报告。

（2011年02月21日~2011年02月27日）1周。

4. 研究创新点

1.对金属掺杂多孔硅的形貌及发光特性研究2.、制备方法对锌掺杂多孔硅蓝光发射强度及稳定性的影响