1. 研究目的与意义

近年来,微纳米材料特别是硅基半导体纳米材料的制备、表征及应用已经成为诸多领域所共同关注的焦点。

而湿化学刻蚀法更是因为实验设备简单、成本低、生成效率高以及重复性好,成为制备纳米结构的最理想的技术之一。

利用湿化学刻蚀法所制备的硅纳米线,其典型的平均线径为7onm左右。

2. 国内外研究现状分析

目前在实验室里已经制备出来了多种硅纳米线纳米电子器件,如场效应晶体管(FET)、单电子探测器、单电子存储元件、双方向电子泵等。

此外还有用于医学、化学检测的纳米传感器,以及具有优良的光吸收特性和独特的电子传输特性的硅纳米线太阳能电池

3. 研究的基本内容与计划

研究内容： 对硅纳米线阵列的光谱学与电学特性的各种表征手段及其相关理论基础进行了深入探讨 扫描电子显微镜(sem) 对所制备的硅纳米线进行结构和形貌表征。

研究计划：1. 准备工作、文献综述和开题报告。

（2011年02月21日~2011年02月27日）1周。

4. 研究创新点

该课题的研究方法及成果对湿法刻蚀的硅纳米线在太阳能电池、光学器件以及红外光电探测器等方面的应用提供了重要的科学依据,具有一定的科研价值。

该成果的进一步发展必将产生巨大的社会和经济效益。