CdTe半导体中的位错缺陷研究开题报告

1. 本选题研究的目的及意义

cdte作为一种重要的ii-vi族化合物半导体材料，具有直接带隙、高吸收系数、良好的光电转换效率等优异特性，在红外探测、太阳能电池、辐射探测等领域展现出巨大的应用潜力。

然而，cdte材料中不可避免地存在着各种缺陷，其中位错缺陷作为一种典型的线缺陷，对材料的电学、光学以及力学性能有着重要影响。

位错缺陷的存在会捕获载流子、散射载流子，降低载流子迁移率和寿命，从而影响cdte基器件的性能。

2. 本选题国内外研究状况综述

cdte半导体材料中的缺陷研究一直是材料科学领域的热点问题，国内外学者对此进行了大量的研究工作，并取得了一系列重要成果。

1. 国内研究现状

国内学者在cdte材料缺陷研究方面取得了一系列重要进展，特别是在点缺陷方面。

3. 本选题研究的主要内容及写作提纲

本研究将采用理论模拟和实验研究相结合的方法，系统研究cdte半导体中位错缺陷的类型、形成机制、电子结构以及对材料性能的影响。

1. 主要内容

1.研究cdte材料中常见位错缺陷的类型，分析其形成能和形成机制。

4. 研究的方法与步骤

本研究将采用理论模拟和实验研究相结合的方法，具体步骤如下：
1.理论模拟：-利用第一性原理计算方法构建cdte晶体模型，并引入不同类型的位错缺陷。

-计算位错缺陷的形成能，分析其形成机制以及影响因素。

-计算位错缺陷的电子结构，例如能带结构、态密度、缺陷能级等，并分析其对材料光电性能的影响机理。

5. 研究的创新点

1.本研究将结合理论模拟和实验研究两种手段，系统研究cdte半导体中位错缺陷的类型、形成机制、电子结构以及对材料性能的影响，为全面理解位错缺陷在cdte材料中的作用提供新的视角。

2.本研究将利用第一性原理计算方法，从原子尺度深入研究位错缺陷对cdte材料电子结构和光电性能的影响机理，为优化cdte基器件的制备工艺提供理论指导。

3.本研究将探索降低或控制cdte材料中位错缺陷浓度的有效途径，为改善cdte材料的性能提供新的思路。

6. 计划与进度安排

第一阶段 （2024.12~2024.1）确认选题，了解毕业论文的相关步骤。

第二阶段（2024.1~2024.2）查询阅读相关文献，列出提纲

第三阶段（2024.2~2024.3）查询资料，学习相关论文

7. 参考文献（20个中文5个英文）

[1] 黄昆. 固体物理学[m]. 北京: 高等教育出版社, 2002.

[2] 陈光华, 薛增泉. cdte晶体材料研究进展[j]. 材料导报, 2018, 32(17): 2949-2955.

[3] 张道礼, 陈长乐, 谢建军, 等. cdte晶体生长及性能研究进展[j]. 人工晶体学报, 2021, 50(11): 2118-2130.