超晶格对硅基GaN-LED器件性能影响研究开题报告

1. 研究目的与意义

本课题的现状及发展趋势：

gan作为第三代半导体材料，具有宽能带隙、高热导率、高电子迁移率、高化学稳定性等优点，已被广泛应用于发光二极管(led)、高电子迁移率晶体管(hemt)和功率开关等器件的研究制备中。以gan基led芯片为基础的固态照明器件具有发光效率高，寿命长，响应速度快，发光强度随电流和脉冲宽度近线性变化，能在剧烈振动和恶劣环境下工作，不含环境有害物质等优点，成为新一代通用照明灯具的首选。随着研究的深入和产业的发展，gan基发光二极管的材料生长和器件制造技术已经取得了长足进步，器件效率和可靠性也有显著提升。

本课题的价值：

2. 研究内容和问题

基本内容：

通过改变硅衬底gan-led特性参数，如增加超晶格结构，改变al的组分含量从而进一步观察其对led发光特性的影响。

预计解决的难题：

3. 设计方案和技术路线

研究方法：

分析对比改变硅衬底gan基led特性参数，如增加超晶格结构，改变al的组分含量从而进一步观察对led发光特性的影响。

技术路线：

4. 研究的条件和基础

对半导体物理和器件等有比较深刻的理解，对器件结构有所理解；能够使用Silvaco仿真软件；能够对仿真结果作出合理的分析。