增强型GaN基HEMT结构设计与性能分析研究开题报告

 2023-09-13 08:09

1. 研究目的与意义

本课题的现状及发展趋势:

随着高压开关和高速射频电路的发展,增强型gan基高电子迁移率晶体管(hemt)成为该领域内的研究热点。增强型gan基hemt只有在加正栅压才有工作电流,可以大大拓展该器件在低功耗数字电路中的应用。近年来,国内外对增强型gan基hemt阈值电压的研究主要集中以下两个方面:在材料生长方面,通过生长薄势垒、降低al组分、生长无极化电荷的algan/gan异质材料、生长ingan或p-gan盖帽层,来控制二维电子气浓度;在器件工艺方面,采用高功函数金属、mis结构、刻蚀凹栅、f基等离子体处理,来控制表面电势,影响二维电子气浓度。

本课题的价值:

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2. 研究内容和问题

基本内容:

通过阅读大量文献,了解增强型gan基高电子迁移率晶体管(hemt)的制作工艺,通过silvaco软件对其结构进行设计,并通过参数的修改研究其性能。

预计解决的难题:

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3. 设计方案和技术路线

研究方法:

分析对比改变硅衬底gan基高电子迁移率晶体管(hemt)特性参数,如异质结结构、掺杂浓度对其特性的影响。

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4. 研究的条件和基础

对半导体物理和器件等有比较深刻的理解,对器件结构有所理解;能够使用Silvaco仿真软件;能够对仿真结果作出合理的分析。

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